2018年8月22日-8月24日  |  上海

为什么参加 
本课程将介绍超大规模集成电路组件与先进金氧半晶体管之挑战、氮氧化硅介电层之制程、高介电闸介电层及界面工程等。从传统二氧化硅到高介电闸介电层技术演进之了解，使学员具有金氧半晶体管闸堆栈工程的专业知识。
介绍金属闸极之选择与制程与门堆栈之陷阱分析等。
本课程将说明半导体二维(2D)单闸极晶体管组件的特性与WAT组件参数的量测，
以及MOSFET组件缩小的趋势(将从strained Si, high-k metal gate至多闸极晶体管的发展)。各种多闸极晶体管的介绍(如ultra-thin body SOI, double gate, FinFET, trigate FET, Π-gate FET, Ω-gate FET, and gate-all-around FET)，也将介绍目前14/16nm FinFET的特性与技术，以及FinFET组件的可靠度现况。

课程目标
1、认识先进金氧半晶体管与闸极堆栈之挑战；
2、了解闸极介电层堆栈及界面工程；
3、学习金属闸极之选择及介电层之陷阱分析；
4、使学员了解半导体MOSFET组件的特性与量测；
5、半导体组件缩小的趋势；
6、以及3D多闸极晶体管的现况与发展。

谁应该参加
高校以上理工科系毕业，适合执行制程、组件、产品、可靠度等工程的相关从业人员选修，以及对半导体组件有兴趣或对组件设计有兴趣者。

主办单位
上海集成电路技术与产业促进中心
亚太材料科学院
承办单位
上海林恩信息咨询有限公司
上海剑度光电科技有限公司
赞助单位
奕叶国际有限公司
美商吉时利仪器公司

课程安排 
课程时间：2018年8月22日—8月24日 （3天）
报到注册时间：2017年8月22日， 上午8:30-9:00 
课程地点：上海集成电路技术与产业促进中心（上海市浦东新区张东路1388号21幢）

课程费用
课程注册费用4000元/人（含授课费、场地租赁费、资料费、课程期间午餐），学员交通、食宿等费用自理（报名回执表中将提供相关协议酒店信息供选择）。
优惠折扣：在校学生注册费用3000元/人；
4人以上团体报名优惠可协商；
报名方式
请各单位收到通知后，积极选派人员参加。报名截止日期为2017年8月20日,请在此日期前将报名回执表发送Email至：

邮件：training@lynneconsulting.com
报名咨询电话：021-51096090；
或者添加微信：moorext（微信号），暗号：芯制造。
关于付款：
请于8月20日前将全款汇至以下账户。并备注（芯制造+单位/学校+姓名）

银行信息：
户  名：上海林恩信息咨询有限公司
开户行：上海银行曹杨支行
帐  号：31658603000624127

支付宝信息：
公司名称：上海林恩信息咨询有限公司
支付宝账号：pay@lynneconsulting.com

课程大纲 

Topic 1：Advanced Processes in Gate Stacks for VLSI Devices (先进超大规模集成电路组件闸堆栈制程) 
1.Basic concepts of nano MOSFETs
2.ALCVD high-k dielectrics
3.Formation and etching of ultra-thin high dielectrics
4.Structure and electrical characterization of high-k dielectrics
5.Silicided/metal-nitrided gate of high-k gated MOSFETs
6.Integration and reliability studies of high-k gated MOSFETs

Topic 2：Three-Dimensional FinFET technology (三维(3D)鳍式晶体管技术) 
1.晶体管组件的特性与WAT组件参数的量测 (如I-V characteristics, subthreshold swing, body effect, hot carrier effect, snapback, punch through, …etc.)
2.短通道效应 (short channel effets, 如DIBL, Vt roll off, velocity saturation, …etc.)
3.组件缩小的趋势 (Device scaling trend: from strain-Si, high-k/metal gate, to FinFET-like devices)
4.多闸极晶体管的特性与技术 (各种多闸极晶体管的解说，如double gate, FinFET, trigate FET, Π-gate FET, Ω-gate FET, and gate-all-around FET)
5.FinFET 组件的可靠度(TDDB, NBTI and HCI)现况

授课专家简介：

授课专家一：Professor Jams
学历： 新竹清华大学电子研究所 博士
现职： 台北铭传大学电子工程学系 教授
经历： 具10年以上产业实务经验,主要以台湾华邦电子的电子组件可靠度工程部/逻辑组件部(含ESD保护)/SRAM产品工程部/技术暨组件开发部/DRAM制程整合工程，及民生科技 模拟IC设计。
专长：硅基组件与制程技术、内存技术、半导体量测、组件可靠度工程

授课专家二：Professor Liang
学历：美国布朗大学电机博士
现职：上海交通大学 星河讲席教授
经历： 1.IEEE Fellows
2.亚太材料科学院  院士 
3.新竹清华大学 讲座教授
专长：大面积电子学及ULSI，太阳电池、平面显示器及医学影像等组件，在薄膜、三元化合物、电子材料、纳米均有卓越之贡献。

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